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氮化镓晶体管(GaN HEMT) EPC EPC2212
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系列 | eGaN® |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
Vgs（最大值） | +6V，-4V |
包装 | 卷带（TR） |
FET 功能 | - |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 407 pF @ 50 V |
功率耗散（最大值） | - |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | GaNFET（氮化镓） |
安装类型 | 表面贴装型 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 3mA |
工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
供应商器件封装 | 模具 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Ta） |
标准包装 | 2500 |
漏源电压（Vdss） | 100 V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4 nC @ 5 V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13.5 毫欧 @ 11A，5V |
封装/外壳 | 模具 |
零件状态 | 不适用于新设计 |
资质 | AEC-Q101 |
等级 | 汽车级 |
商品介绍
表面贴装型 N 通道 100 V 18A（Ta） 模具
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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