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碳化硅二极管 GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-214 替代

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电流 - 平均整流 (Io)

300mA

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)

3300 V

系列

SiC Schottky MPS™

基本产品编号

GAP3SLT33

供应商器件封装

DO-214AA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

2.2 V @ 300 mA

包装

卷带(TR)

不同 Vr、F 时电容

42pF @ 1V,1MHz

安装类型

表面贴装型

技术

SiC(Silicon Carbide)Schottky

封装/外壳

DO-214AA,SMB

反向恢复时间 (trr)

0 ns

工作温度 - 结

-55°C ~ 175°C

速度

-

零件状态

在售

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏

10 µA @ 3300 V

标准包装

3000

商品介绍

二极管 3300 V 300mA 表面贴装型 DO-214AA

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
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品牌:Yageo
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品牌:FH
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品牌:Samsung
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:GAP3SLT33-214
单二极管
碳化硅二极管 GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-214
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品牌:Yageo
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GAP3SLT33-214(GeneSiC Semiconductor)和CC0603KPX7R9BB104(Yageo)的区别
品牌:Yageo
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GAP3SLT33-214(GeneSiC Semiconductor)和CC0603KRX7R9BB104(Yageo)的区别
品牌:Samsung
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GAP3SLT33-214(GeneSiC Semiconductor)和CL10B104KB8NNNC(Samsung)的区别
品牌:Samsung
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数据手册 8094(50起订)

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GAP3SLT33-214(GeneSiC Semiconductor)和CL10B104KB8NNNL(Samsung)的区别
品牌:Murata
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5000 +¥0.02057

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GAP3SLT33-214(GeneSiC Semiconductor)和GRM188R71H104KA93D(Murata)的区别

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GAP3SLT33-214GeneSiC Semiconductor 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikey 等渠道进行代购。 GAP3SLT33-214 价格参考¥ 67.16354 。 GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-214 封装/规格: SMB(DO-214AA), DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214。你可以下载 GAP3SLT33-214 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 碳化硅二极管 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: GAP3SLT33-214

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