上传BOM 
购物车
晶体管 IXYS IXKN75N60C
- 商品详情
- 技术文档
基本产品编号 | IXKN75 |
系列 | CoolMOS™ |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
漏源电压（Vdss） | 600 V |
包装 | 管件 |
FET 功能 | - |
功率耗散（最大值） | 560W（Tc） |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET（金属氧化物） |
安装类型 | 底座安装 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 5mA |
工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
供应商器件封装 | SOT-227B |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 75A（Tc） |
封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
Vgs（最大值） | ±20V |
零件状态 | 在售 |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 500 nC @ 10 V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 36 毫欧 @ 50A，10V |
标准包装 | 10 |
资质 | - |
等级 | - |
商品介绍
底座安装 N 通道 600 V 75A（Tc） 560W（Tc） SOT-227B
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
下载EDA模型
工商网监 