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MOSFETs Vishay SIR826DP-T1-GE3

数量 香港价格 国内价格
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  • 品       牌:Vishay(威世)
  • 型       号: SIR826DP-T1-GE3
  • 商品编号: DS0074857
  • 封装规格: PowerPAK® SO-8
  • 商品描述: 表面贴装型 N 通道 80 V 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8

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供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

包装

卷带(TR)

FET 类型

N 通道

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.8V @ 250µA

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

60A(Tc)

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

零件状态

在售

漏源电压(Vdss)

80 V

基本产品编号

SIR826

系列

TrenchFET®

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2900 pF @ 40 V

功率耗散(最大值)

6.25W(Ta),104W(Tc)

Vgs(最大值)

±20V

安装类型

表面贴装型

FET 功能

-

技术

MOSFET(金属氧化物)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

90 nC @ 10 V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

4.8 毫欧 @ 20A,10V

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)

标准包装

3000

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

商品介绍

表面贴装型 N 通道 80 V 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01048
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01133
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数据手册
型号:0805B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0805
¥0.01918
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:SIR826DP-T1-GE3
单 FET,MOSFET
MOSFETs Vishay SIR826DP-T1-GE3
数据手册 0(1起订)

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SIR826DP-T1-GE3Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikey 等渠道进行代购。 SIR826DP-T1-GE3 价格参考¥ 10.02864 。 Vishay SIR826DP-T1-GE3 封装/规格: PowerPAKSO8, MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8。你可以下载 SIR826DP-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: SIR826DP-T1-GE3

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