• 品       牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
• 型       号： MJD127G
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• 商品编号：
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• 封装规格： TO-252-2L
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• 商品描述： 该达林顿晶体管由两只PNP型三极管复合构成，具备5A的集电极电流（IC）和100V的集电极-发射极耐压（VCEO），适用于高增益与高功率需求的电路设计。其电流放大倍数（HFE）可达2000至8000，显著提升输入阻抗与电流驱动能力，适合用于信号缓冲、高灵敏度开关及功率驱动电路。该器件可在低输入电流下控制较大负载，常用于电源管理模块、继电器驱动、LED控制及消费类电子设备中的精密模拟与数字接口电路。 该达林顿晶体管由两只PNP型三极管复合构成，具备5A的集电极电流（IC）和100V的集电极-发射极耐压（VCEO），适用于高增益与高功率需求的电路设计。其电流放大倍数（HFE）可达2000至8000，显著提升输入阻抗与电流驱动能力，适合用于信号缓冲、高灵敏度开关及功率驱动电路。该器件可在低输入电流下控制较大负载，常用于电源管理模块、继电器驱动、LED控制及消费类电子设备中的精密模拟与数字接口电路。