• 品       牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
• 型       号： AP3N5R0MT
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• 商品编号：
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• 封装规格： DFN5X6-8L
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• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有强大的电气特性，最大漏极电流ID高达150A，最高漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON仅3.5mΩ，确保了在VGS=20V时的高效导通能力。它适用于需要处理大电流和追求低功耗的应用场景，如电源转换、电池充电控制及各类电子装置中的开关操作。凭借其优异的性能，此MOSFET是构建高效、稳定电子系统的理想选择。 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有强大的电气特性，最大漏极电流ID高达150A，最高漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON仅3.5mΩ，确保了在VGS=20V时的高效导通能力。它适用于需要处理大电流和追求低功耗的应用场景，如电源转换、电池充电控制及各类电子装置中的开关操作。凭借其优异的性能，此MOSFET是构建高效、稳定电子系统的理想选择。