• 品       牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
• 型       号： IRF830PBF
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• 商品编号：
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• 封装规格： TO-220C
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• 商品描述： 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备了4.5A的连续电流承载能力，最大漏源电压VDSS可达500V，提供了一种可靠的高电压解决方案。其导通电阻RDSS仅为1.2Ω，在保证高效能的同时，有助于减少功耗发热，提升了整体系统的效率。该MOSFET的栅源电压VGS最高可承受±30V，增强了电路设计的灵活性，适用于多种通用电子设备中的电源管理和信号处理环节，如便携式电子产品、家用电器及消费类设备中作为开关或放大组件。 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备了4.5A的连续电流承载能力，最大漏源电压VDSS可达500V，提供了一种可靠的高电压解决方案。其导通电阻RDSS仅为1.2Ω，在保证高效能的同时，有助于减少功耗发热，提升了整体系统的效率。该MOSFET的栅源电压VGS最高可承受±30V，增强了电路设计的灵活性，适用于多种通用电子设备中的电源管理和信号处理环节，如便携式电子产品、家用电器及消费类设备中作为开关或放大组件。