• 品       牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
• 型       号： JEB05D5
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• 商品编号：
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• 封装规格： SOD-523
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• 商品描述： 此款静电和浪涌保护器件，基于TVS/ESD技术设计，提供8A的峰值脉冲电流IPP承载能力，能够有效应对突发的电压波动对电路的影响。其反向工作电压VRWM为5V，适用于低电压应用环境，确保在日常使用中的安全性与稳定性。该器件的电容CJ为10pF，在保持较低电容值的同时，不影响信号的完整性，适合高速信号线路的保护需求。作为单通道（LINE:1通道）双向TYPE:Bi双向保护元件，它可以在两个方向上提供对称的保护特性，无论电压极性如何变化，均能可靠地发挥保护作用。此产品适用于需要精准电压保护的各种电子设备，如消费电子产品中的数据接口等，保障内部电路免受瞬态过电压事件的损害。 此款静电和浪涌保护器件，基于TVS/ESD技术设计，提供8A的峰值脉冲电流IPP承载能力，能够有效应对突发的电压波动对电路的影响。其反向工作电压VRWM为5V，适用于低电压应用环境，确保在日常使用中的安全性与稳定性。该器件的电容CJ为10pF，在保持较低电容值的同时，不影响信号的完整性，适合高速信号线路的保护需求。作为单通道（LINE:1通道）双向TYPE:Bi双向保护元件，它可以在两个方向上提供对称的保护特性，无论电压极性如何变化，均能可靠地发挥保护作用。此产品适用于需要精准电压保护的各种电子设备，如消费电子产品中的数据接口等，保障内部电路免受瞬态过电压事件的损害。