• 品       牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
• 型       号： 2N7002NXBKR
  点击复制
• 商品编号：
  点击复制
• 封装规格： SOT-23
  点击复制
• 商品描述： 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有0.3A的连续漏极电流能力和高达60V的漏源电压耐受性，适用于对电压要求较高的应用场景。其导通电阻为1000毫欧姆，尽管相对较高，但在特定条件下仍能有效工作。栅源电压范围达到20V，适合与多种驱动电路配合使用。该MOSFET适用于需要稳定性能和可靠性的电子项目中，如消费电子产品、小型家电控制电路等，能够满足基本开关及信号处理需求。 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有0.3A的连续漏极电流能力和高达60V的漏源电压耐受性，适用于对电压要求较高的应用场景。其导通电阻为1000毫欧姆，尽管相对较高，但在特定条件下仍能有效工作。栅源电压范围达到20V，适合与多种驱动电路配合使用。该MOSFET适用于需要稳定性能和可靠性的电子项目中，如消费电子产品、小型家电控制电路等，能够满足基本开关及信号处理需求。