• 品       牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
• 型       号： BAS321/8X
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• 商品编号：
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• 封装规格： SOD-323
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• 商品描述： 这款开关二极管具备0.25安培的正向电流（IF/A），并能承受最高250伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.25伏特，反向漏电流（IR/uA）低至0.1微安。此外，它还能承受4.5安培的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）。这些特性使其非常适合应用于需要高可靠性和快速开关速度的电子设计中，如在消费电子产品的信号处理及保护电路中发挥重要作用。 这款开关二极管具备0.25安培的正向电流（IF/A），并能承受最高250伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.25伏特，反向漏电流（IR/uA）低至0.1微安。此外，它还能承受4.5安培的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）。这些特性使其非常适合应用于需要高可靠性和快速开关速度的电子设计中，如在消费电子产品的信号处理及保护电路中发挥重要作用。