• 品       牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
• 型       号： ES1JFL
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• 商品编号：
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• 封装规格： SOD-123FL
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• 商品描述： ES1J 肖特基二极管，采用 SOD-123FL 封装，提供 1A 的正向电流 (IF) 和 600V 的反向电压 (VR)。正向压降 (VF) 低至 1.7V，有助于减少热损耗，提高效率。反向漏电流 (IR) 低至 5μA，确保在关断状态下的低功耗。最大浪涌电流 (IFSM) 可达 30A，增强了器件的耐冲击能力。ES1J 是高效整流和快速开关应用的理想选择。 ES1J 肖特基二极管，采用 SOD-123FL 封装，提供 1A 的正向电流 (IF) 和 600V 的反向电压 (VR)。正向压降 (VF) 低至 1.7V，有助于减少热损耗，提高效率。反向漏电流 (IR) 低至 5μA，确保在关断状态下的低功耗。最大浪涌电流 (IFSM) 可达 30A，增强了器件的耐冲击能力。ES1J 是高效整流和快速开关应用的理想选择。