• 品       牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
• 型       号： ES2D
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• 商品编号：
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• 封装规格： SMA
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• 商品描述： 这款通用二极管具有2A的最大正向电流IF，能够处理较大的电流负载，同时具备200V的反向耐压VR，适合用于需要良好电压隔离性能的电路中。其正向电压降VF低至0.95V，有助于减少电力损耗，提升效率。在反向偏置条件下，漏电流IR不超过5微安，确保了二极管在关闭状态下的低功耗特性。瞬态峰值电流IFSM可达50A，表明它能在短时间内承受高电流冲击而不损坏，适用于高频脉冲和整流应用。该二极管是构建高效稳定电子电路的理想选择。 这款通用二极管具有2A的最大正向电流IF，能够处理较大的电流负载，同时具备200V的反向耐压VR，适合用于需要良好电压隔离性能的电路中。其正向电压降VF低至0.95V，有助于减少电力损耗，提升效率。在反向偏置条件下，漏电流IR不超过5微安，确保了二极管在关闭状态下的低功耗特性。瞬态峰值电流IFSM可达50A，表明它能在短时间内承受高电流冲击而不损坏，适用于高频脉冲和整流应用。该二极管是构建高效稳定电子电路的理想选择。