• 品       牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
• 型       号： FFSP20120A
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• 商品编号：
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• 封装规格： TO-220H-2L
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• 商品描述： 这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流（IF），以及高达1200伏特的反向击穿电压（VR），确保了其在高压环境下的稳定性能。该二极管的正向电压降（VF）仅为1.5伏特，在大电流工作条件下能够有效降低能耗。同时，它拥有低至200微安的反向漏电流（IR），表明其在关闭状态下几乎无电流泄露，提升了整体效率。此外，此二极管的峰值电流（IFSM）可达130安培，适用于需要瞬时处理高电流的应用场合。这些特性使其成为高性能电路设计中的理想选择。 这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流（IF），以及高达1200伏特的反向击穿电压（VR），确保了其在高压环境下的稳定性能。该二极管的正向电压降（VF）仅为1.5伏特，在大电流工作条件下能够有效降低能耗。同时，它拥有低至200微安的反向漏电流（IR），表明其在关闭状态下几乎无电流泄露，提升了整体效率。此外，此二极管的峰值电流（IFSM）可达130安培，适用于需要瞬时处理高电流的应用场合。这些特性使其成为高性能电路设计中的理想选择。