• 品       牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
• 型       号： ES3JBG
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• 封装规格： SMB
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• 商品描述： 该款快恢复、高效率二极管具有3安培的额定正向电流（IF/A），并能承受最高600伏特的反向电压（VR/V）。其工作时的正向电压降（VF/V）为1.7伏特，有助于降低电力损耗，提升系统效率。在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）不超过5微安，确保了较低的待机功耗。此元件还具备处理高达80安培瞬时正向浪涌电流（IFSM/A）的能力，使其在应对短时过载情况时表现出色。适用于高频开关电源、逆变电路以及其它需要高效转换的应用场合。 该款快恢复、高效率二极管具有3安培的额定正向电流（IF/A），并能承受最高600伏特的反向电压（VR/V）。其工作时的正向电压降（VF/V）为1.7伏特，有助于降低电力损耗，提升系统效率。在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）不超过5微安，确保了较低的待机功耗。此元件还具备处理高达80安培瞬时正向浪涌电流（IFSM/A）的能力，使其在应对短时过载情况时表现出色。适用于高频开关电源、逆变电路以及其它需要高效转换的应用场合。