• 品       牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
• 型       号： DSK110
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• 商品编号：
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• 封装规格： SOD-123FL
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• 商品描述： 此款肖特基二极管拥有1A的最大正向电流IF，峰值反向电压VR为100V，而在正向导通状态下的电压降VF仅为0.85V，展现出低功耗特性。其反向漏电流IR在室温下为200μA，瞬时正向浪涌电流IFSM可达30A，适合于高频电路中的整流与保护作用。该二极管凭借其快速的开关速度和低正向压降，广泛应用于电源转换、自由轮转以及电压箝位等电子设备中，是提升电路效率与稳定性的关键组件。 此款肖特基二极管拥有1A的最大正向电流IF，峰值反向电压VR为100V，而在正向导通状态下的电压降VF仅为0.85V，展现出低功耗特性。其反向漏电流IR在室温下为200μA，瞬时正向浪涌电流IFSM可达30A，适合于高频电路中的整流与保护作用。该二极管凭借其快速的开关速度和低正向压降，广泛应用于电源转换、自由轮转以及电压箝位等电子设备中，是提升电路效率与稳定性的关键组件。