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氮化镓晶体管(GaN HEMT) Infineon GS66516T-MR

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  • 品       牌:Infineon(英飞凌)
  • 型       号: GS66516T-MR
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  • 商品编号: G50964213
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  • 封装规格: SMD-4P,9x7.6mm
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  • 商品描述: 增强模式氮化镓硅功率晶体管。氮化镓的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。岛式技术单元布局实现了高电流管芯和高良率。GaNPx封装可在小尺寸封装中实现低电感和低热阻。顶部冷却晶体管,为高功率应用提供极低的结壳热阻。这些特性结合在一起,可提供高效的功率开关。

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型号:GS66516T-MR

氮化镓晶体管(GaN HEMT) Infineon GS66516T-MR
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GS66516T-MRInfineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 GS66516T-MR 价格参考¥ 381.9204 。 Infineon GS66516T-MR 封装/规格: SMD-4P,9x7.6mm, 。你可以下载 GS66516T-MR 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 氮化镓晶体管(GaN HEMT) 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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