• 品       牌：VBsemi(微碧半导体)
• 型       号： SI3460DV-T1-GE3-VB
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• 商品编号：
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• 封装规格： TSOP-6
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• 商品描述： 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有小型封装和低功耗特性，采用Trench工艺制造。适用于小型电路控制和低功率应用的高性能MOSFET产品。SOT23-6；N—Channel沟道,30V；6A；RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V； 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有小型封装和低功耗特性，采用Trench工艺制造。适用于小型电路控制和低功率应用的高性能MOSFET产品。SOT23-6；N—Channel沟道,30V；6A；RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；