• 品       牌：HXY
• 型       号： HSQD50P0307T4GE3
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• 封装规格： TO-252-2L
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• 商品描述： 这款P沟道场效应管（MOSFET）具备强大的电流处理能力，其最大漏极电流（ID/A）为80A，适用于高功率需求的电路设计。器件设计可承受最高30V的工作电压（VDSS/V），适合应用于需要稳定高压操作的环境。其低导通电阻（RDSON/mR）仅为5.5毫欧，能够在大电流条件下有效减少发热和能量损失。栅源电压（VGS/V）为25V时，可以确保精确的开关控制。此MOSFET适用于各类电子设备中的电源管理模块、逆变电路以及其他需要高性能开关的应用。 这款P沟道场效应管（MOSFET）具备强大的电流处理能力，其最大漏极电流（ID/A）为80A，适用于高功率需求的电路设计。器件设计可承受最高30V的工作电压（VDSS/V），适合应用于需要稳定高压操作的环境。其低导通电阻（RDSON/mR）仅为5.5毫欧，能够在大电流条件下有效减少发热和能量损失。栅源电压（VGS/V）为25V时，可以确保精确的开关控制。此MOSFET适用于各类电子设备中的电源管理模块、逆变电路以及其他需要高性能开关的应用。