• 品       牌：CRMICRO(华润微)
• 型       号： HGQ014N04B-G
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• 商品编号：
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• 封装规格： DFN-8(5x6)
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• 商品描述： HGQ014N04B-G 是一款硅 N 沟道增强型 VDMOSFET，采用高密度沟槽技术制成，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于负载开关和 PWM 应用。其封装形式为 PDFN5×6-8L，符合 RoHS 标准。 HGQ014N04B-G 是一款硅 N 沟道增强型 VDMOSFET，采用高密度沟槽技术制成，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于负载开关和 PWM 应用。其封装形式为 PDFN5×6-8L，符合 RoHS 标准。