图像仅供参考，请参阅产品规格书

HESD7504MUTAG

数量国内价格
5+ ￥0.46005
50+ ￥0.36363
150+ ￥0.31552
500+ ￥0.27936
3000+ ￥0.25039
6000+ ￥0.23601

数量	国内价格
5+	￥0.46005
50+	￥0.36363
150+	￥0.31552
500+	￥0.27936
3000+	￥0.25039
6000+	￥0.23601

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）： 4-7工作日

库存：
1 528（1起订）

合作库存的价格参考：
数量	国内含税
5+	￥0.46005
50+	￥0.36363
150+	￥0.31552
500+	￥0.27936
3000+	￥0.25039
6000+	￥0.23601

数量：

X0.46005（单价）

总价：

￥ 0.46005

加入购物车立即购买

品牌：HXY
型号： HESD7504MUTAG
点击复制
商品编号：
点击复制
封装规格： DFN-10L(2.5x1)
点击复制
商品描述：此款Uni单向保护器集成了四个独立通道，每个通道耐压3.3V，具备4A峰值电流吸收能力，及0.6pF低结电容，专为高密度电路设计。它能有效阻断反向电压，同时确保信号快速传输，为精密电子设备提供精巧而强大的保护解决方案。

商品详情

商品介绍

此款Uni单向保护器集成了四个独立通道，每个通道耐压3.3V，具备4A峰值电流吸收能力，及0.6pF低结电容，专为高密度电路设计。它能有效阻断反向电压，同时确保信号快速传输，为精密电子设备提供精巧而强大的保护解决方案。

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。

热销型号1 / 3

图片	型号/品牌	描述	技术文档	库存	参考价格	对比	操作
	型号：HESD7504MUTAG 品牌：HXY	HESD7504MUTAG HESD7504MUTAG	---	0（1起订）	¥0.46005 ▼ 数量国内含税 5 +￥0.46005 50 +￥0.36363 150 +￥0.31552 500 +￥0.27936 3000 +￥0.25039 6000 +￥0.23601	当前型号	加入购物车

HESD7504MUTAG 由 HXY MOSFET(华轩阳电子) 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 HESD7504MUTAG 价格参考￥ 0.46005 。 HXY MOSFET(华轩阳电子) HESD7504MUTAG 封装/规格： DFN-10L(2.5x1), 此款Uni单向保护器集成了四个独立通道，每个通道耐压3.3V，具备4A峰值电流吸收能力，及0.6pF低结电容，专为高密度电路设计。它能有效阻断反向电压，同时确保信号快速传输，为精密电子设备提供精巧而强大的保护解决方案。。你可以下载 HESD7504MUTAG 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： HESD7504MUTAG

元器件商品 0

HESD7504MUTAG

数量国内价格
5+ ￥0.46005
50+ ￥0.36363
150+ ￥0.31552
500+ ￥0.27936
3000+ ￥0.25039
6000+ ￥0.23601

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）： 4-7工作日

库存：
1 528（1起订）

商品介绍

标准包装

近似替代型号（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）

	华秋自营
	合作库存（订单含第三方合作库存商品，下单前请与客服确认价格和交期）
	海外代购（订单含海外代购商品，下单前请与客服确认价格和交期）

元器件商品 0

HESD7504MUTAG

数量国内价格5+ ￥0.46005 50+ ￥0.36363 150+ ￥0.31552 500+ ￥0.27936 3000+ ￥0.25039 6000+ ￥0.23601

交货地： 1国内（含增税） 交期（工作日）： 4-7工作日

库存： 1 528（1起订）

商品介绍

标准包装

近似替代型号（ 推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单 ）

数量国内价格
5+ ￥0.46005
50+ ￥0.36363
150+ ￥0.31552
500+ ￥0.27936
3000+ ￥0.25039
6000+ ￥0.23601

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）： 4-7工作日

库存：
1 528（1起订）

近似替代型号（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）