图像仅供参考，请参阅产品规格书

MOSFETs Vishay SIS106DN-T1-GE3

数量国内价格
1+ ￥7.9055
5+ ￥7.103
20+ ￥5.7614
54+ ￥5.426
500+ ￥5.3063

数量	国内价格
1+	￥7.9055
5+	￥7.103
20+	￥5.7614
54+	￥5.426
500+	￥5.3063

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）：7-15个工作日

库存：
1 0（1起订）

合作库存的价格参考：
数量	国内含税
1+	￥7.9055
5+	￥7.103
20+	￥5.7614
54+	￥5.426
500+	￥5.3063

数量：

X7.9055（单价）

总价：

￥ 7.9055

加入购物车立即订货

品牌：Vishay(威世)
型号：SIS106DN-T1-GE3
商品编号：DS13973211
封装规格：
商品描述：晶体管: N-MOSFET; TrenchFET®; 单极; 60V; 16A; Idm: 40A; 15W

商品详情

热销型号1 / 3

图片	型号/品牌	描述	技术文档	库存	参考价格	对比	操作
	型号：SIS106DN-T1-GE3 品牌：Vishay(威世)	MOSFETs Vishay SIS106DN-T1-GE3 MOSFETs Vishay SIS106DN-T1-GE3	---	0（1起订）	¥7.90550 ▼ 数量国内含税 1 +￥7.90550 5 +￥7.10300 20 +￥5.76140 54 +￥5.42600 500 +￥5.30630	当前型号	加入购物车

SIS106DN-T1-GE3 由 Vishay 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 SIS106DN-T1-GE3 价格参考￥ 7.9055 。 Vishay SIS106DN-T1-GE3 封装/规格： PowerPAK®1212-8, 表面贴装型 N 通道 60 V 9.8A（Ta），16A（Tc） 3.2W（Ta），24W（Tc） PowerPAK® 1212-8。你可以下载 SIS106DN-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： SIS106DN-T1-GE3

元器件商品 0

MOSFETs Vishay SIS106DN-T1-GE3

数量国内价格
1+ ￥7.9055
5+ ￥7.103
20+ ￥5.7614
54+ ￥5.426
500+ ￥5.3063

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）：7-15个工作日

库存：
1 0（1起订）

品牌：Vishay(威世)
型号：SIS106DN-T1-GE3
商品编号：DS13973211
封装规格：
商品描述：晶体管: N-MOSFET; TrenchFET®; 单极; 60V; 16A; Idm: 40A; 15W

近似替代型号（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）

元器件商品 0

MOSFETs Vishay SIS106DN-T1-GE3

数量国内价格1+ ￥7.9055 5+ ￥7.103 20+ ￥5.7614 54+ ￥5.426 500+ ￥5.3063

交货地： 1国内（含增税） 交期（工作日） ：7-15个工作日

库存： 1 0（1起订）

品 牌：Vishay(威世)型 号：SIS106DN-T1-GE3商品编号：DS13973211封装规格：商品描述： 晶体管: N-MOSFET; TrenchFET®; 单极; 60V; 16A; Idm: 40A; 15W 晶体管: N-MOSFET; TrenchFET®; 单极; 60V; 16A; Idm: 40A; 15W

近似替代型号（ 推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单 ）

数量国内价格
1+ ￥7.9055
5+ ￥7.103
20+ ￥5.7614
54+ ￥5.426
500+ ￥5.3063

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）：7-15个工作日

库存：
1 0（1起订）

品牌：Vishay(威世)
型号：SIS106DN-T1-GE3
商品编号：DS13973211
封装规格：
商品描述：晶体管: N-MOSFET; TrenchFET®; 单极; 60V; 16A; Idm: 40A; 15W

近似替代型号（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）