商品介绍
类型:双N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@10V,10A 栅极电荷(Qg@Vgs):8.07nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):0.445nF@50V ,Vds=100V Id=20A Rds=26mΩ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。