• 品       牌：China Resources Microelectronics Limited
• 型       号： CRTD030N04L
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• 商品编号：
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• 封装规格： TO-252
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• 商品描述： 导通电阻@(Rdson)@4.5V: 3.2mΩ 封装: TO-252 栅源极电压Vgs(Max): 20V 连续漏极电流ID(25°C): 80A FET通道极性: N Channel 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 40V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 1200mΩ @ 0.2A,1.8V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 5391pF 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: -55℃~150℃ 导通电阻@(Rdson)@4.5V: 3.2mΩ 封装: TO-252 栅源极电压Vgs(Max): 20V 连续漏极电流ID(25°C): 80A FET通道极性: N Channel 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 40V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 1200mΩ @ 0.2A,1.8V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 5391pF 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: -55℃~150℃