• 品       牌：VBsemi(微碧)
• 型       号： TPCS8205-VB
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• 商品编号： G12339987
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• 封装规格： TSSOP8
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• 商品描述： 台积电流片，长电封测。一款共源极N+NMOSFET，适用于20V的最大漏极-源极电压和±20V的最大栅极-源极电压,特别适用于直流-直流转换器、电机控制系统和电源开关模块等需要高性能和稳定性能的应用场合。阈值电压为0.5~1.5V，漏极电流可达6.6A，采用Trench技术制造。封装为TSSOP8。 台积电流片，长电封测。一款共源极N+NMOSFET，适用于20V的最大漏极-源极电压和±20V的最大栅极-源极电压,特别适用于直流-直流转换器、电机控制系统和电源开关模块等需要高性能和稳定性能的应用场合。阈值电压为0.5~1.5V，漏极电流可达6.6A，采用Trench技术制造。封装为TSSOP8。