• 品       牌：VBsemi
• 型       号： MT8103-VB
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• 商品编号：
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• 封装规格： SOP8
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• 商品描述： 台积电流片，长电封测。P沟道场效应晶体管（MOSFET），是一种多功能、高性能的电子器件，适用于许多不同的应用领域和模块。 具有参数：VDS（漏极-源极电压）为-30V，VGS（栅极-源极电压）范围为±20V，阈值电压（Vth）为-2.5V。在VGS=4.5V时的导通电阻为15mΩ，在VGS=10V时为11mΩ，最大漏极电流（ID）为-13.5A。这些MOSFET采用Trench技术制造，封装形式为SOP8。 台积电流片，长电封测。P沟道场效应晶体管（MOSFET），是一种多功能、高性能的电子器件，适用于许多不同的应用领域和模块。 具有参数：VDS（漏极-源极电压）为-30V，VGS（栅极-源极电压）范围为±20V，阈值电压（Vth）为-2.5V。在VGS=4.5V时的导通电阻为15mΩ，在VGS=10V时为11mΩ，最大漏极电流（ID）为-13.5A。这些MOSFET采用Trench技术制造，封装形式为SOP8。