• 品       牌：VBsemi(微碧)
• 型       号： HM75N75K-VB
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• 商品编号： G12325585
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• 封装规格： TO252
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• 商品描述： 台积电流片，长电封测。一款单N型场效应晶体管，具有80V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS），以及3V的阈值电压（Vth）。在栅极-源极电压为10V时，具有5mΩ的导通电阻，最大漏极电流（ID）为75A。采用Trench技术制造，封装为TO252。适用于广泛的电子设备和系统，包括电源管理、汽车电子、工业自动化和电动工具等模块，在这些领域中发挥着重要的作用。 台积电流片，长电封测。一款单N型场效应晶体管，具有80V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS），以及3V的阈值电压（Vth）。在栅极-源极电压为10V时，具有5mΩ的导通电阻，最大漏极电流（ID）为75A。采用Trench技术制造，封装为TO252。适用于广泛的电子设备和系统，包括电源管理、汽车电子、工业自动化和电动工具等模块，在这些领域中发挥着重要的作用。