• 品       牌：VBsemi
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• 封装规格： TO252
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• 商品描述： 台积电流片，长电封测。N沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V)封装：TO252 该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合，能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性，适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。 台积电流片，长电封测。N沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V)封装：TO252 该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合，能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性，适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。