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- 品 牌：VBsemi(微碧)
- 型 号： BVSS84LT1G-VB
- 商品编号： G12282412
- 封装规格： SOT23-3
- 商品描述： 台积电流片，长电封测。N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V)封装：SOT23-3适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗，适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术，具有较高的栅极-源极电阻，适合用于低功率应用。
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商品介绍
台积电流片，长电封测。N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V)封装：SOT23-3适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗，适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术，具有较高的栅极-源极电阻，适合用于低功率应用。
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标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：BVSS84LT1G-VB 品牌：VBsemi(微碧) | MOSFETs VBsemi BVSS84LT1G-VB | --- | 0（1起订） | ¥0.16905 ▼ 数量国内含税 10 +￥0.16905 | 当前型号 | 加入购物车 |
| PIN to PIN | 贴片电容（MLCC） | --- | 41259（500起订） | ¥0.06048 ▼ 数量国内含税 50 +￥0.06048 500 +￥0.04688 1500 +￥0.03942 5000 +￥0.03489 25000 +￥0.03100 | BVSS84LT1G-VB(VBsemi)和GRM033C71C104KE14J(Murata)的区别 | |
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