• 品       牌：VBsemi
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• 封装规格： TO252
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• 商品描述： 台积电流片，长电封测。N沟道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V)封装：TO252 晶体管具有较高的漏极电流容量和较低的漏极-源极电阻，非常适合用作汽车电子模块中的功率开关器件。在汽车电子模块中，它可以用于发动机控制、电动助力转向、车载充电桩等应用，确保汽车系统的稳定性和性能。 台积电流片，长电封测。N沟道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V)封装：TO252 晶体管具有较高的漏极电流容量和较低的漏极-源极电阻，非常适合用作汽车电子模块中的功率开关器件。在汽车电子模块中，它可以用于发动机控制、电动助力转向、车载充电桩等应用，确保汽车系统的稳定性和性能。