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CJP75N75-VB

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  • 品       牌:VBsemi
  • 型       号: CJP75N75-VB
  • 商品编号:
  • 封装规格: TO220
  • 商品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V)封装:TO220 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。

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商品介绍

台积电流片,长电封测。N沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V)封装:TO220 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
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数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
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品牌:Yageo
封装/规格:0603
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型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
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型号:CJP75N75-VB
品牌:VBsemi

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CJP75N75-VBVBsemi(微碧) 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 CJP75N75-VB 价格参考¥ 3.7168 。 VBsemi(微碧) CJP75N75-VB 封装/规格: TO220, 台积电流片,长电封测。N沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V)封装:TO220 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。。你可以下载 CJP75N75-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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