• 品       牌：VBsemi（微碧）
• 型       号： AO4470-VB
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• 商品编号：
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• 封装规格： SOP8
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• 商品描述： 台积电流片，长电封测。该产品为单体N型MOSFET，具有以下特性：-最大漏极电压（VDS）为30V，适用于中等功率应用。-最大门源电压（VGS）为±20V，兼容多种驱动电路。-阈值电压（Vth）为1.7V，具有良好的开关特性。-在VGS=4.5V时，导通电阻为5m；在VGS=10V时，导通电阻为4m，具有低导通电阻和低开关损耗。-最大漏极电流（ID）为18A，可满足多种应用场景的电流需求。-采用Trench工艺，具有优异的热特性和可靠性。-封装为SOP8，便于PCB布局和焊接。 台积电流片，长电封测。该产品为单体N型MOSFET，具有以下特性：-最大漏极电压（VDS）为30V，适用于中等功率应用。-最大门源电压（VGS）为±20V，兼容多种驱动电路。-阈值电压（Vth）为1.7V，具有良好的开关特性。-在VGS=4.5V时，导通电阻为5m；在VGS=10V时，导通电阻为4m，具有低导通电阻和低开关损耗。-最大漏极电流（ID）为18A，可满足多种应用场景的电流需求。-采用Trench工艺，具有优异的热特性和可靠性。-封装为SOP8，便于PCB布局和焊接。