• 品       牌：VBsemi
• 型       号： AAT8107IAS-T1-VB
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• 商品编号：
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• 封装规格： SOP8
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• 商品描述： 台积电流片，长电封测。P沟道,-20V,-8A,RDS(ON),16mΩ@4.5V,19.2mΩ@2.5V,15Vgs(±V)；-0.6~-2Vth(V)封装：SOP8 生产的单路功率型沟道型MOSFET，适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计，在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。 台积电流片，长电封测。P沟道,-20V,-8A,RDS(ON),16mΩ@4.5V,19.2mΩ@2.5V,15Vgs(±V)；-0.6~-2Vth(V)封装：SOP8 生产的单路功率型沟道型MOSFET，适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计，在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。