• 品       牌：VBsemi
• 型       号： 702E-VB
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• 商品编号：
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• 封装规格： SOT23-3
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• 商品描述： 台积电流片，长电封测。N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V)封装：SOT23-3适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗，适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术，具有较高的栅极-源极电阻，适合用于低功率应用。 台积电流片，长电封测。N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V)封装：SOT23-3适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗，适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术，具有较高的栅极-源极电阻，适合用于低功率应用。