• 品       牌：VBsemi
• 型       号： 2SK4103-VB
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• 商品编号：
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• 封装规格： TO252
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• 商品描述： 台积电流片，长电封测。650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V)；3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管（FET），采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252，具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。 台积电流片，长电封测。650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V)；3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管（FET），采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252，具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。