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MOSFETs VBsemi 2SK4101-VB
- 品 牌：VBsemi(微碧)
- 型 号： 2SK4101-VB
- 商品编号： G14514545
- 封装规格： TO220F
- 商品描述： 台积电流片，长电封测。单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS）、以及3.5V的阈值电压（Vth）。其封装为TO220F，适用于各种应用场景。
- 商品详情
商品介绍
台积电流片，长电封测。单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS）、以及3.5V的阈值电压（Vth）。其封装为TO220F，适用于各种应用场景。
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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