• 品       牌：VBsemi
• 型       号： 2SK4100LS-VB
  点击复制
• 商品编号：
  点击复制
• 封装规格： TO220F
  点击复制
• 商品描述： 台积电流片，长电封测。一款单N沟道功率场效应晶体管（FET），采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F，具有高性能和可靠性，适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.5Vth(V) 台积电流片，长电封测。一款单N沟道功率场效应晶体管（FET），采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F，具有高性能和可靠性，适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.5Vth(V)