alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://www.hqchip.com/Public/img/nob.png

MOSFETs VBsemi VBJ1201K

数量国内价格
10+ ¥1.35125

交货地:

1国内(含增税) 交期(工作日): 4-6工作日

库存:

1 450000(1起订)

数量:
X1.35125(单价)
总价:
¥ 1.35125

  • 品       牌:VBsemi(微碧)
  • 型       号: VBJ1201K
    点击复制
  • 商品编号: DS39668798
    点击复制
  • 封装规格: SOT223-3
    点击复制
  • 商品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,200V,1A,RDS(ON),1100mΩ@10V,1350mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:SOT-223在数码相机和摄像头系统中,可用于图像传感器接口、电源管理和驱动控制,提供高质量的图像采集和处理功能。

  • 商品详情
热销型号1 / 3

近似替代型号( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:VBJ1201K

MOSFETs VBsemi VBJ1201K
--- 0(1起订)

¥1.35125 ▼

数量国内含税

10 +¥1.35125

当前型号加入购物车

VBJ1201KVBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 VBJ1201K 价格参考¥ 1.35125 。 VBsemi VBJ1201K 封装/规格: SOT-223-3, 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):1A;功率(Pd):3.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,580mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;。你可以下载 VBJ1201K 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: VBJ1201K

Copyright ©2012-2024 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照