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晶体管 ST SCT30N120

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品牌：ST(意法半导体)
型号：SCT30N120
商品编号：DS0075125
封装规格：TO-247-3
商品描述：碳化硅功率MOSFET，1200 V、45 A、90 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装

商品详情

热销型号1 / 3

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	型号：SCT30N120 品牌：ST(意法半导体)	晶体管 ST SCT30N120 晶体管 ST SCT30N120	---	0（1起订）	¥176.05080 ▼ 数量国内含税 1 +￥176.05080 30 +￥168.42600	当前型号	加入购物车

SCT30N120 由 ST 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 digikey 等渠道进行代购。 SCT30N120 价格参考￥ 176.0508 。 ST SCT30N120 封装/规格： TO247, MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247。你可以下载 SCT30N120 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： SCT30N120

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型号：SCT30N120
商品编号：DS0075125
封装规格：TO-247-3
商品描述：碳化硅功率MOSFET，1200 V、45 A、90 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装

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品 牌：ST(意法半导体)型 号：SCT30N120商品编号：DS0075125封装规格：TO-247-3商品描述： 碳化硅功率MOSFET，1200 V、45 A、90 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装 碳化硅功率MOSFET，1200 V、45 A、90 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装

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型号：SCT30N120
商品编号：DS0075125
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商品描述：碳化硅功率MOSFET，1200 V、45 A、90 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装

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