• 品       牌：CR MICRO(华润微)
• 型       号： HGQ024N04A
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• 商品编号： G12322654
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• 封装规格： PDFN5x6-8
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• 商品描述： HGQ024N04A是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用高密度沟槽技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。此器件适用于作为负载开关和脉宽调制（PWM）应用。其封装形式为PDFN5*6，符合RoHS标准 HGQ024N04A是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用高密度沟槽技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。此器件适用于作为负载开关和脉宽调制（PWM）应用。其封装形式为PDFN5*6，符合RoHS标准