• 品       牌：Infineon(英飞凌)
• 型       号：IPP111N15N3G
• 商品编号：DS0076407
• 封装规格：
• 商品描述： 封装: TO220-3 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 技术: Si 漏源电压（Vdss）: 150 V 栅极电荷@Vgs: 55 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 3230 pF @ 75 V 功率耗散(Max): 214W (Tc) 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: Through Hole 系列: OptiMOS3 封装: TO220-3 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 技术: Si 漏源电压（Vdss）: 150 V 栅极电荷@Vgs: 55 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 3230 pF @ 75 V 功率耗散(Max): 214W (Tc) 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: Through Hole 系列: OptiMOS3