• 品       牌：ON(安森美)
• 型       号：FCP190N60E
• 商品编号：DS0087854
• 封装规格：
• 商品描述： 封装: TO220-3 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 20.6A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 600 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 190mΩ @ 10A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 82 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 3175 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 208W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: SuperFET® II 封装: TO220-3 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 20.6A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 600 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 190mΩ @ 10A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 82 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 3175 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 208W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: SuperFET® II