• 品       牌：ON(安森美)
• 型       号： NTMFS4833NT1G
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• 商品编号： G3521061
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• 封装规格： SO8FL
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• 商品描述： 封装: SO-8FL 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 16A (Ta), 156A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 30V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 2mΩ @ 30A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 88 nC @ 11.5 V 输入电容(Max)@Vds: 5600 pF @ 12 V 功率耗散(Max): 910mW (Ta), 125W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 封装: SO-8FL 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 16A (Ta), 156A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 30V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 2mΩ @ 30A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 88 nC @ 11.5 V 输入电容(Max)@Vds: 5600 pF @ 12 V 功率耗散(Max): 910mW (Ta), 125W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount