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购物车 晶体管 ST STN1N20 替代
- 品 牌：ST(意法半导体)
- 型 号： STN1N20
- 商品编号： G3519583
- 封装规格： SOT-223
- 商品描述： 封装: SOT223 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 1A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 200 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 1.5Ω @ 500mA, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 15.7 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 206 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 2.9W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: MESH OVERLAY™
- 商品详情
商品介绍
封装: SOT223 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 1A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 200 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 1.5Ω @ 500mA, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 15.7 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 206 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 2.9W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: MESH OVERLAY™
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：STN1N20 品牌：ST(意法半导体) | 晶体管 ST STN1N20 | --- | 0（1起订） | ¥8.20380 ▼ 数量国内含税 4000 +￥8.20380 | 当前型号 | 加入购物车 |
 | PIN to PIN | 贴片电阻 | 数据手册 | 12827（500起订） | ¥0.00394 ▼ 数量国内含税 100 +￥0.00394 500 +￥0.00371 1000 +￥0.00337 5000 +￥0.00292 10000 +￥0.00265 | STN1N20(ST)和AC0402JR-0710KL(Yageo)的区别 | |
 | PIN to PIN | 贴片电阻 | 数据手册 | 3599（200起订） | ¥0.09433 ▼ 数量国内含税 50 +￥0.09433 200 +￥0.08809 600 +￥0.08184 2000 +￥0.07559 5000 +￥0.06934 10000 +￥0.06497 | STN1N20(ST)和CRCW040210K0JNED(Vishay)的区别 | |
 | PIN to PIN | 贴片电阻 | 数据手册 | 30155（500起订） | ¥0.00182 ▼ 数量国内含税 100 +￥0.00182 500 +￥0.00172 1000 +￥0.00157 5000 +￥0.00137 10000 +￥0.00125 | STN1N20(ST)和0402WGJ0103TCE(Uniohm)的区别 | |
 | PIN to PIN | 贴片电阻 | 数据手册 | 0（100起订） | ¥0.01036 ▼ 数量国内含税 1 +￥0.01036 100 +￥0.00967 300 +￥0.00898 500 +￥0.00828 2000 +￥0.00794 5000 +￥0.00773 | STN1N20(ST)和MCR01MZPJ103(ROHM)的区别 | |
 | PIN to PIN | 贴片电阻 | 数据手册 | 0（500起订） | ¥0.00538 ▼ 数量国内含税 100 +￥0.00538 500 +￥0.00506 1000 +￥0.00459 5000 +￥0.00396 10000 +￥0.00358 | STN1N20(ST)和WR04X103 JTL(Walsin)的区别 |
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