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MOSFETs ON FCH041N60E

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  • 品       牌:ON(安森美)
  • 型       号: FCH041N60E
  • 商品编号: DS0076536
  • 封装规格: TO-247-3
  • 商品描述: 封装: TO247-3 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 77A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 600 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 41mΩ @ 39A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 380 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 13700 pF @ 100 V 功率耗散(Max): 592W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: SuperFET® II

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商品介绍

封装: TO247-3 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 77A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 600 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 41mΩ @ 39A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 380 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 13700 pF @ 100 V 功率耗散(Max): 592W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: SuperFET® II

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01048
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01168
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型号:CL10A105KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
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型号:FCH041N60E
品牌:ON(安森美)

MOSFETs ON FCH041N60E
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FCH041N60EON 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikey 等渠道进行代购。 FCH041N60E 价格参考¥ 39.6517 。 ON FCH041N60E 封装/规格: TO247, MOSFET N CH 600V 77A TO-247。你可以下载 FCH041N60E 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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