• 品       牌：ON(安森美)
• 型       号：FCB070N65S3
• 商品编号：DS0083199
• 封装规格：
• 商品描述： 封装: D2-PAK 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 44A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 650V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 70mΩ @ 22A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4.5V @ 4.4mA 栅极电荷@Vgs: 78 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 3090 pF @ 400 V 功率耗散(Max): 312W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: SuperFET® III 封装: D2-PAK 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 44A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 650V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 70mΩ @ 22A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4.5V @ 4.4mA 栅极电荷@Vgs: 78 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 3090 pF @ 400 V 功率耗散(Max): 312W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: SuperFET® III