图像仅供参考，请参阅产品规格书

晶体管 ST STGW25M120DF3

数量国内价格
1+ ￥38.50762
10+ ￥33.81437
30+ ￥30.95367

数量	国内价格
1+	￥38.50762
10+	￥33.81437
30+	￥30.95367

合作库存海外代购

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）：4-7工作日

库存：
1 0（1起订）
1 22（1起订）

合作库存的价格参考：
数量	国内含税
1+	￥38.50762
10+	￥33.81437
30+	￥30.95367

数量：

X38.50762（单价）

总价：

￥ 38.50762

加入购物车立即购买

品牌：ST(意法半导体)
型号：STGW25M120DF3
商品编号：DS0107784
封装规格：TO-247
商品描述： 1200 V、25 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

商品详情

热销型号1 / 3

图片	型号/品牌	描述	技术文档	库存	参考价格	对比	操作
	型号：STGW25M120DF3 品牌：ST(意法半导体)	晶体管 ST STGW25M120DF3 晶体管 ST STGW25M120DF3	---	0（1起订）	¥38.50762 ▼ 数量国内含税 1 +￥38.50762 10 +￥33.81437 30 +￥30.95367	当前型号	加入购物车

STGW25M120DF3 由 ST 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 chip1stop 等渠道进行代购。 STGW25M120DF3 价格参考￥ 38.50762 。 ST STGW25M120DF3 封装/规格： TO247, IGBT1200V50A375W。你可以下载 STGW25M120DF3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： STGW25M120DF3

元器件商品 0

晶体管 ST STGW25M120DF3

数量国内价格
1+ ￥38.50762
10+ ￥33.81437
30+ ￥30.95367

合作库存海外代购

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）：4-7工作日

库存：
1 0（1起订）
1 22（1起订）

品牌：ST(意法半导体)
型号：STGW25M120DF3
商品编号：DS0107784
封装规格：TO-247
商品描述： 1200 V、25 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

近似替代型号（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）

元器件商品 0

晶体管 ST STGW25M120DF3

数量国内价格1+ ￥38.50762 10+ ￥33.81437 30+ ￥30.95367

合作库存海外代购

交货地： 1国内（含增税） 交期（工作日） ：4-7工作日

库存： 1 0（1起订） 1 22（1起订）

品 牌：ST(意法半导体)型 号：STGW25M120DF3商品编号：DS0107784封装规格：TO-247商品描述： 1200 V、25 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT 1200 V、25 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

近似替代型号（ 推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单 ）

数量国内价格
1+ ￥38.50762
10+ ￥33.81437
30+ ￥30.95367

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）：4-7工作日

库存：
1 0（1起订）
1 22（1起订）

品牌：ST(意法半导体)
型号：STGW25M120DF3
商品编号：DS0107784
封装规格：TO-247
商品描述： 1200 V、25 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

近似替代型号（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）