图像仅供参考，请参阅产品规格书

MOSFETs WILLSEMI WNM2020-3/TR

数量国内价格
1+ ￥0.2772
200+ ￥0.1793
1500+ ￥0.1551
3000+ ￥0.1375

数量	国内价格
1+	￥0.2772
200+	￥0.1793
1500+	￥0.1551
3000+	￥0.1375

华秋自营合作库存

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）： 4-7个工作日

库存：
1 13518（1起订）
1 13518（1起订）

合作库存的价格参考：
数量	国内含税
1+	￥0.2772
200+	￥0.1793
1500+	￥0.1551
3000+	￥0.1375

数量：

X0.2772（单价）

总价：

￥ 0.2772

加入购物车立即购买

品牌：WILLSEMI(韦尔)
型号： WNM2020-3/TR
点击复制
商品编号： DS0143241
点击复制
封装规格： SOT-23
点击复制
商品描述：场效应管(MOSFET) 320mW 20V 830mA 1个N沟道 SOT-23

商品详情

热销型号1 / 3

图片	型号/品牌	描述	技术文档	库存	参考价格	对比	操作
	型号：WNM2020-3/TR 品牌：WILLSEMI(韦尔)	MOSFETs WILLSEMI WNM2020-3/TR MOSFETs WILLSEMI WNM2020-3/TR	---	0（1起订）	¥0.27720 ▼ 数量国内含税 1 +￥0.27720 200 +￥0.17930 1500 +￥0.15510 3000 +￥0.13750	当前型号	加入购物车

WNM2020-3/TR 由 WILLSEMI 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 WNM2020-3/TR 价格参考￥ 0.2772 。 WILLSEMI WNM2020-3/TR 封装/规格： SOT-23, 功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道。你可以下载 WNM2020-3/TR 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： WNM2020-3/TR

元器件商品 0

MOSFETs WILLSEMI WNM2020-3/TR

数量国内价格
1+ ￥0.2772
200+ ￥0.1793
1500+ ￥0.1551
3000+ ￥0.1375

华秋自营合作库存

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）： 4-7个工作日

库存：
1 13518（1起订）
1 13518（1起订）

品牌：WILLSEMI(韦尔)
型号： WNM2020-3/TR
点击复制
商品编号： DS0143241
点击复制
封装规格： SOT-23
点击复制
商品描述：场效应管(MOSFET) 320mW 20V 830mA 1个N沟道 SOT-23

近似替代型号（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）

元器件商品 0

MOSFETs WILLSEMI WNM2020-3/TR

数量国内价格1+ ￥0.2772 200+ ￥0.1793 1500+ ￥0.1551 3000+ ￥0.1375

华秋自营合作库存

交货地： 1国内（含增税） 交期（工作日）： 4-7个工作日

库存： 1 13518（1起订） 1 13518（1起订）

品 牌：WILLSEMI(韦尔)型 号： WNM2020-3/TR 点击复制商品编号： DS0143241 点击复制封装规格： SOT-23 点击复制商品描述： 场效应管(MOSFET) 320mW 20V 830mA 1个N沟道 SOT-23 场效应管(MOSFET) 320mW 20V 830mA 1个N沟道 SOT-23

近似替代型号（ 推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单 ）

数量国内价格
1+ ￥0.2772
200+ ￥0.1793
1500+ ￥0.1551
3000+ ￥0.1375

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）： 4-7个工作日

库存：
1 13518（1起订）
1 13518（1起订）

品牌：WILLSEMI(韦尔)
型号： WNM2020-3/TR
点击复制
商品编号： DS0143241
点击复制
封装规格： SOT-23
点击复制
商品描述：场效应管(MOSFET) 320mW 20V 830mA 1个N沟道 SOT-23

近似替代型号（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）