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晶体管 ST STGWT30H60DFB

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品牌：ST(意法半导体)
型号：STGWT30H60DFB
商品编号：DS0107454
封装规格：TO-3P-3
商品描述： 600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

商品详情

热销型号1 / 3

图片	型号/品牌	描述	技术文档	库存	参考价格	对比	操作
	型号：STGWT30H60DFB 品牌：ST(意法半导体)	晶体管 ST STGWT30H60DFB 晶体管 ST STGWT30H60DFB	---	0（1起订）	¥20.69226 ▼ 数量国内含税 1 +￥20.69226 10 +￥19.77070 30 +￥19.20975	当前型号	加入购物车

STGWT30H60DFB 由 ST 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 STGWT30H60DFB 价格参考￥ 20.69226 。 ST STGWT30H60DFB 封装/规格： TO-3P-3, IGBT 600V 60A 260W TO3PL。你可以下载 STGWT30H60DFB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： STGWT30H60DFB

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品牌：ST(意法半导体)
型号：STGWT30H60DFB
商品编号：DS0107454
封装规格：TO-3P-3
商品描述： 600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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品 牌：ST(意法半导体)型 号：STGWT30H60DFB商品编号：DS0107454封装规格：TO-3P-3商品描述： 600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT 600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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品牌：ST(意法半导体)
型号：STGWT30H60DFB
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商品描述： 600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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