alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://www.hqchip.com/Public/img/nob.png

MOSFETs VBsemi IRFR4620TRPBF-VB

数量国内价格
1+ ¥11.2536
10+ ¥9.8604
30+ ¥8.9856
100+ ¥6.8688
500+ ¥6.4692
1000+ ¥6.2856

交货地:

1国内(含增税) 交期(工作日): 4-7工作日

库存:

1 29(1起订)

1 450000(1起订)

数量:
X11.2536(单价)
总价:
¥ 11.2536

  • 品       牌:VBsemi(微碧)
  • 型       号: IRFR4620TRPBF-VB
    点击复制
  • 商品编号: DS39662475
    点击复制
  • 封装规格: TO-252-2
    点击复制
  • 商品描述: 台积电流片,长电科技封装;是一款单极性N型场效应管,采用Trench技术,适用于电源管理模块、通信设备模块、汽车电子模块等领域。TO252;N—Channel沟道,200V;30A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;

  • 商品详情
热销型号1 / 3

近似替代型号( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:IRFR4620TRPBF-VB

MOSFETs VBsemi IRFR4620TRPBF-VB
--- 0(1起订)

¥11.25360 ▼

数量国内含税

1 +¥11.25360

10 +¥9.86040

30 +¥8.98560

100 +¥6.86880

500 +¥6.46920

1000 +¥6.28560

当前型号加入购物车

IRFR4620TRPBF-VBVBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IRFR4620TRPBF-VB 价格参考¥ 11.2536 。 VBsemi IRFR4620TRPBF-VB 封装/规格: TO-252-2(DPAK), 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;。你可以下载 IRFR4620TRPBF-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: IRFR4620TRPBF-VB

Copyright ©2012-2024 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照