商品介绍
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道功率MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于多种低功率功率电子应用。具有高性能和可靠性,特别适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。TO220;N—Channel沟道,100V;18A;RDS(ON)=127mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。